Дворская Марина Александровна

Образование: Иркутский государственный технический университет, Физико-технический институт, специальность Наноматериалы, 2007-2012 гг.

Принят на 1 курс аспирантуры ИГХ СО РАН: 01.09.2017 г.

Направление: 03.06.01 Физика и астрономия.

Направленность: «Физика конденсированного состояния».

Форма обучения: очная.

Срок получения образования по программе аспирантуры: 4 года.

Научный руководитель: А.С. Мысовский к.ф.-м.н, старший научный сотрудник лаборатории 35.1

Тема   аспирантской   подготовки: Разработка неэмпирического метода встроенного кластера, основанного на ортогональном разбиении электронной плотности.

Сданы кандидатские экзамены:

история и философия науки – отлично.